装在基板上的电子元件需要通过热沉的作用才能够得到有效散热从而稳定工作温度，钼铜、钨铜、CMC和CPC材料结合了钼、钨的低热膨胀率和铜的高热导率，可有效释放电子器件的热量，有助于冷却 IGBT 模块、RF功率放大器、LED 芯片等各种产品。 1.钨铜合金： 钨铜合金是以钨元素为基、铜元素为副组成的一种两相结构伪合金，是金属中的复合材料。WCu电子封装片，既具有钨的低膨胀特性，又具有铜的高导热特性，尤为可贵的是，其热膨胀系数和导热导电性可以通过调整材料的成分而加以设计，因而给该材料的应用带来了极大的方便。我们采用高纯的优质原料，经压制成形、高温烧结及熔渗后，得到性能优良的WCu电子封装材料及热沉材料。适用于与大功率器件封装的材料，如基片、电极等；高性能的引线框架；热控装置的热控板和散热器等。 产品优势： 产品孔隙率极低，BET法测定的比表面为国内同行的一半（选用5*5*52mm样品100只比较）。产品具有良好的气密性，氦质谱仪检漏测验<5*10-9Pa·m3/S可完全通过。 不添加任何活化烧结元素如铁、镍、钴、锰。具有良好的热导性能及热膨胀匹配性能。 产品规格： 钨铜裸片及表面镀镍、镀镍金。 牌号 钨含量Wt% 铜含量Wt% 密度g/cm3 热导率W/(M.K) 热膨胀系数(10-6/K) W90Cu10 90 ± 1 余量 17.0 180 - 190 6.5 W85Cu15 85 ± 1 余量 16.4 190 - 200 7.0 W80Cu20 80 ± 1 余量 15.6 200 - 210 8.3 W75Cu25 75 ± 1 余量 14.9 220 - 230 9.0 W50Cu50 50 ± 1 余量 12.2 310 - 340 12.5 2.钼铜合金： 钼铜合金是由两种互不固溶的金属所组成的假合金，兼具钼和铜的特性，具有高热传导率、低热膨胀系数、无磁性、低气体含量、良好的真空性能、良好的机加工性及特殊的高温性能等特性。 产品优势： 钼铜合金相比较于钨铜合金，其密度较低，但热膨胀系数较大。 产品规格： 钼铜裸片及表面镀镍、镀金。 牌号 钼含量 Wt% 铜含量 Wt% 密度g/cm3 热导率W/(M.K) 热膨胀系数(10-6/K) Mo85Cu15 85± 1 Balance 10 160 - 180 6.8 Mo80Cu20 80 ± 1 Balance 9.9 170 - 190 7.7 Mo70Cu30 70 ± 1 Balance 9.8 180 - 200 9.1 Mo60Cu40 60 ± 1 Balance 9.66 210 - 250 10.3 Mo50Cu50 50 ±0.2 Balance 9.54 230 - 270 11.5 3.铜-钼铜-铜、铜-钼-铜： CPC（铜-钼铜-铜）和CMC（铜-钼-铜）是一种三层结构材料，以较低的热膨胀系数和远优于WCu和MoCu的热导率为高功率电子元器件提供更优替换方案。它们能够有效释放电子器件的热量，有助于冷却 IGBT 模块等各种产品。可用于热沉、引线框、多层印刷电路板(PCB)等的低膨胀层和导热通道。我们可以为客户提供各种厚度和不同层数结构的层片结构材料，以满足客户的各种使用要求。 原料（名称） 成分 20°C时密度[g/cm3] RT～400℃时热膨胀系数[10-6/K] 20 °C时热导率 [W/(m·K)] MoCu30 Mo-30% Cu 9.7±0.2 ≤8.3 ≥190 WCu10 W-10% Cu 17.1±0.4 ≤7.2 ≥160 WCu15 W-15% Cu 16.8±0.4 ≤7.2 ≥170 WCu20 W-20% Cu 15.6±0.4 ≤8.5 ≥180 Cu/Mo-30Cu/Cu (CPC) 1:4:1 /Mo-52%Cu 9.4±0.2 7.2-9 340（平面） 300（厚度） Cu/Mo/Cu (CMC) 1:1:1 /Mo-66%Cu 9.3±0.2 ≤8.8 305（平面） 250（厚度） Cu/Mo/Cu (CMC) 1:2:1 /Mo-50%Cu 9.54±0.2 ≤7.8 260（平面） 210（厚度） Cu/Mo/Cu (CMC) 1:3:1 /Mo-40%Cu 9.66±0.2 ≤6.8 244（平面） 190（厚度） Cu/Mo/Cu 1:4:1 / 9.75±0.2 ≤6.0 220（平面） 180（厚度） 无氧铜TU1 8.93 17.7 391
[wt%]
(CMC)
Mo-33%Cu
