产品名称：	高纯黄金及金基合金溅射靶材
牌号规格：	Au01、Au1、AuGe12、AuGeNi11.5-5、AuGeNi12-4、Au80Sn20
用途备注：	金、金锗、金锗镍等溅射靶材通过磁控溅射工艺沉积在半导体芯片如GaAs、GaP、GaN等表面，形成欧姆接触膜、电极和连线膜。可形成多种金属化膜系统。

序号	合金牌号		主成分
			Au		Ge		Ni		Ga		Be
1	Au1		≥99.99
2	Au01		≥99.999		——		——		——		——
3	Au88Ge		88±0.5		余量		——		——		——
4	Au83.5GeNi		83.5±0.5		余量		5±0.4
备注：可按客户要求提供其它成分的产品。
外形尺寸(mm)
合金牌号		形状		规格		允许偏差		厚度		允许偏差
Au1、Au01		圆形		100-250		±0.1		3～6		±0.2
		方形		127×381		±1		3～6		±0.2
AuGe12、Au83.5GeNi、		圆形		100-250		±0.3		6		±0.5
		方形		127×381		±1		6		±0.5
备注：可供其它规格和允许偏差的产品。