单P沟道，-20V，-2.4A，功率MOSFET描述WPM2015是P沟道增强型MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。标准产品WPM2015是无铅的无卤。
品牌：WILLSEM
型号；WPM2015
封装：SOT23
包装：3000
年份：18+
数量：50000
诚信经销商
瑞利诚科技（深圳）有限公司
苏s 13723714328
QQ:3007243117
特征
海沟技术 超高密度电池设计 出色的导通电阻，可提供更高的直流 极低的阈值电压 小包装SOT-23应用 继电器，电磁铁，电机，LED等驱动器 DC-DC转换器电路 电源开关 负载开关 充电
绝对最大额定值参数符号10 S稳态单元漏源电压VDS -20栅源电压VGS f8 V.TA = 25℃-2.4-2.2连续漏极电流aTA = 70℃ID -1.9 -1.7 ATA = 25°C 0.9 0.8最大功耗aTA = 70°CPD0.5 0.5WTA = 25℃-2.2-2.0连续漏极电流bTA = 70°C ID-1.7 -1.6ATA = 25℃0.7±0.6最大功耗bTA = 70℃PD0.5 0.4 W脉冲漏极电流c IDM -10 A.工作结温TJ 150°C引线温度TL 260°C存储温度范围Tstg -55至150°C热阻额定值参数符号典型最大单位t 10 s 105 135结到环境的热阻a稳定状态RşJA120155t 10 s 130 160结到环境的热阻b稳定状态RşJA145190结至壳体热阻稳态RşJC6075°C / W.
WPM2015是P沟道增强型MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽
技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。该设备适合使用
在DC-DC转换，电源开关和充电电路。标准产品WPM2015是无铅的无卤。
