单P沟道，-30 V，-4.4A，功率MOSFET描述WPM3407采用先进的沟槽技术提供具有低栅极电荷的出色RDS（ON）。该设备适用于用于DC-DC转换应用。标准产品WPM3407是无铅的。
品牌：WILLSEM
型号；WPM3407
封装：SOT23
包装：3000
年份：18+
数量：50000
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应用
笔记本中的电源管理便携式设备电池供电系统DC / DC转换器负载开关
绝对最大额定值
TA = 25°C，除非另有说明
参数符号10 S稳态单元漏源电压VDS -30V栅源电压VGS±20连续漏极电流（TJ = 150℃）TA = 25℃ID 4.4 3.7TA = 70°C 3.5 2.9 A脉冲漏极电流IDM -20最大功率耗散aTA = 25℃PD 1.4 1.0WTA = 70℃0.9 0.6操作连接和存储温度范围TJ，Tstg -55至150°C
耐热性评级参数符号典型最大单位结至环境热阻at≤10sRθJA70 90稳态90 125°C / W.结至壳体热阻稳态RθJC5080
功耗特性1. WPM3407的封装是SOT23-3，表面安装在FR4板上，使用1平方英尺的焊盘尺寸，1盎司Cu，RθJA为125℃/ W.2.功耗PD基于TJ（MAX）= 150°C，TJ与PD之间的关系为TJ = Ta +RθJA* PD，最大功耗由RθJA决定。3.RθJA是从结到环境的热阻抗，使用更大的PCB焊盘尺寸可以获得更小的RθJA并导致更大的最大功耗。
