单P沟道,-30V,-3.1A,功率MOSFET描述WPM3012是P沟道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计,提供卓越的RDS(ON)低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换,电源开关和充电电路。 标准产品WPM3012是无铅的无卤。
特征
海沟技术超高密度电池设计出色的导通电阻,可提供更高的直流极低的阈值电压小包装SOT-23
应用
继电器,电磁铁,电机,LED等驱动器DC-DC转换器电路电源开关负载开关充电
参数符号10 S稳态单元
漏源电压VDS -30
栅源电压VGS±20
脉冲漏极电流c IDM -15 A.
工作结温TJ 150°C
引线温度TL 260°C
存储温度范围Tstg -55至150°C
热阻额定值
参数符号典型最大单位
t 10 s 105 130
结到环境的热阻a
稳定状态
RşJA120155
t 10 s 130 160
结到环境的热阻b
稳定状态
RşJA145190
结至壳体热阻稳态RşJC6075°C / W.
电子特性(Ta = 25oC,除非另有说明)
参数符号测试条件最小值典型值最大值
关闭特征
漏极 - 源极击穿电压BVDSS VGS = 0 V,ID = -250uA -30 V.
零栅极电压漏极电流IDSS VDS = -24V,VGS = 0V -1 uA
栅极 - 源极漏电流IGSS VDS = 0 V,VGS =±20V±100 nA
关于特征
栅极阈值电压VGS(TH)VGS = VDS,ID = -250uA -1.5 -1.9 -2.5V
VGS = -10V,ID = -3.1A 58 68
漏极 - 源极导通电阻b,c RDS(on)
VGS = -4.5V,ID = -2.8A 80 95 M2 +
正向跨导gFS VDS = -5 V,ID = -5.0A 8.2 s
电容,费用
输入电容CISS 654
输出电容COSS 67
反向传输电容CRSS
VGS = 0 V,
f = 1.0 MHz,
VDS = -20V 56 pF的
总栅极电荷QG(TOT)1.55
门限电荷QG(TH)2.03
门到源充电QGS 3.15
栅极 - 漏极电荷QGD
VGS = -10 V,
VDS = -15V,
ID = -3.1A
12.9 NC
切换特性
开启延迟时间td(ON)9.6
上升时间tr 4.0
关闭延迟时间td(OFF)34.8
下降时间tf
VGS = -10 V,
VDS = -15 V,
RL = 5
RG = 15 7.2 ns
身体二极管特征
正向电压VSD VGS = 0 V,IS = -1.0A -0.8 -1.5 V.