ESD5304D 4线，单向，超低电容瞬态电压抑制器
说明
ESD5304D是一款超低电容TVS（瞬态电容器）电压抑制器）阵列设计用于保护高速数据接口。它专门设计用于保护与数据相关的敏感电子元件和传输线由ESD引起的过应力引起（静电放电）。
品牌：WILLSEM
型号；ESD5304D-10/TR
封装：DFN2510-10L
包装：3000
年份：18+
数量：80000
诚信经销商
瑞利诚科技（深圳）有限公司
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ESD5304D采用四对超低电压电容控制二极管加一个TVS二极管。
ESD5304D可用于提供高达ESD保护根据IEC61000-4-2，±20kV（接触放电），和根据能够承受高达4A（8 /20μs）的峰值脉冲电流IEC61000-4-5。ESD5304D采用DFN2510-10L封装。标准产品不含铅，不含卤素。
特征隔离电压：最大5V根据每条线路的瞬态保护IEC61000-4-2（ESD）：±20kV（接触放电）IEC61000-4-4（EFT）：40A（5 / 50ns）IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8 /20μs）超低电容：CJ = 0.4pF（典型值）。超低漏电流：IR <1nA（典型值）。低钳位电压：VCL = 14V（典型值）。 @ IPP = 16A（TLP）固态硅技术
应用
USB 2.0和USB 3.0HDMI 1.3，HDMI 1.4和HDMI 2.0SATA和eSATADVIIEEE 1394PCI Express便携式电子产品和笔记本
参数符号评级单位峰值脉冲功率（tp = 8 /20μs）Ppk 48 W.峰值脉冲电流（tp = 8 /20μs）IPP 4 A.ESD符合IEC61000-4-2空气放电VESD±20千伏ESD符合IEC61000-4-2接触放电±20结温TJ 125 oC工作温度TOP -40~85 oC引线温度TL 260 oC储存温度TSTG -55~150 oC
电气特性（TA = 25 oC，除非另有说明）笔记：1）TLP参数：Z0 =50Ω，tp = 100ns，tr = 2ns，平均窗口从60ns到80ns。 RDYN的计算方法是从4A到16A。2）根据IEC61000-4-2接触放电模式。3）根据IEC61000-4-5的非重复电流脉冲。参数符号条件最小值典型。最大。单元反向最大工作电压VRWM 5.0 V.反向漏电流IR VRWM = 5V <1 100 nA反向击穿电压VBR IT = 1mA 7.0 8.0 9.0 V.正向电压VF IT = 10mA 0.6 0.9 1.2 V.钳位电压1）VCL IPP = 16A，tp = 100ns 14 V.钳位电压2）VCL VESD = + 8kV 14 V.动态电阻1）RDYN0.33Ω钳位电压3）VCLIPP = 1A，tp = 8 /20μs10VIPP = 4A，tp = 8 /20μs12V结电容CJVR = 0V，f = 1MHz任何I / O引脚连接到GND0.40 0.65 pFVR = 0V，f = 1MHz在任何I / O引脚之间0.25 0.40 pF
