说明WNM6002是N通道增强功能MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽技术和设计,提供卓越的RDS(ON)低栅极电荷。该设备适合使用在DC-DC转换,电源开关和充电电路。标准产品WNM6002是无铅的无卤。
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品牌:WILLSEM
型号;WNM6002
封装:SOT323
包装:3000
年份:18+
数量:90000
瑞利诚科技(深圳)有限公司
联系人:何小姐
TEL:13723714318
qq:3007215867
特征
海沟技术
超高密度电池设计
出色的导通电阻,可提供更高的直流
极低的阈值电压
小包装SOT-323
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应用
继电器,电磁铁,电机,LED等驱动器
DC-DC转换器电路
电源开关
负载开关
充电
绝对最大额定值
热阻额定值
a表面安装在FR-4板上,使用1平方英寸焊盘尺寸,1盎司铜
b表面安装在FR-4板上,使用最小焊盘尺寸,1oz铜
c脉冲宽度<380μs
d最高结温TJ = 150°C。
参数符号10 s稳态单元
漏源电压VDS 60V
栅源电压VGS±20
连续排水电流广告
TA = 25°C ID A.
TA = 70℃
最大功耗和TA = 25°C PD W
TA = 70℃
连续漏极电流bd
TA = 25°C ID A.
TA = 70℃
最大功耗bd
TA = 25°C
PD W
TA = 70℃
脉冲漏极电流c
IDM 1.0 A
工作结温TJ -55至150°C
引线温度TL 260°C
存储温度范围Tstg -55至150°C
参数符号典型最大单位
结到环境的热阻a
t≤10秒
RθJA °C / W
稳定状态
结到环境的热阻b
t≤10秒
RθJA稳态
结至壳体热阻稳态RθJC
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电子特性
(Ta = 25oC,除非另有说明)
参数符号测试条件最小值典型值最大值
关闭特征
漏极 - 源极击穿电压BVDSS VGS = 0 V,ID = 250uA 60 V.
零栅极电压漏极电流IDSS VDS = 60V,VGS = 0V 1 uA
栅极 - 源极漏电流IGSS VDS = 0 V,VGS =±20V±5 uA
关于特征
栅极阈值电压VGS(TH)VGS = VDS,ID = 250uA 0.8 1.3 2 V.
漏极 - 源极导通电阻b,c RDS(on)
VGS = 10V,ID = 0.37A 1.4 2.0Ω
VGS = 4.5V,ID = 0.2A 1.7 2.6
正向跨导gFS VDS = 15V,ID = 0.25A 0.42 S.
电容,费用
输入电容CISS VGS = 0 V,
f = 1.0 MHz,
VDS = 25V 23.37
输出电容COSS 7.33 pF
反向传输电容CRSS 5.2
总栅极电荷QG(TOT)
VGS = 10 V,
VDD = 30 V,
ID = 0.37A 1.2NC
阈值栅极电荷QG(TH)0.15
门到源充电QGS 0.21
栅极 - 漏极电荷QGD 0.12
切换特性
开启延迟时间td(ON)
VDD = 30V,ID = 0.2A,
VGEN = 10V,RG =10Ω NS
上升时间tr
关闭延迟时间td(OFF)
下降时间tf
身体二极管特征
正向电压VSD VGS = 0 V,IS = 0.3A 0.9 1.5 V.
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