氮化镓（GaN）是一种新型的半导体材料，由于具有很大的禁带宽度，对可见光完全不吸收，是最常见的紫外线传感器材料。GaN紫外传感器具有体积小、灵敏度高、抗可见光干扰能力强、功耗低、寿命长等优点。早期的紫外传感器是基于硅材料，但由于硅基光电二极管对可见光有强烈的响应，形成本来不需要的电信号，导致测量精度不高；GaN紫外传感器恰恰克服了硅基光电二极管这一本征限制，其精度远远高于硅基紫外传感器。