常规结构的SiC紫外传感器主要用于工业领域紫外辐射剂量的测量。但是，对于许多核心和新兴应用领域，人们需要实现的是对极微弱紫外信号的快速测量。这就意味着所用半导体紫外传感器器必须具有强烈的增益，满足这一要求的理想器件唯有SiC紫外雪崩光电探测器（APDs）。高性能的APDs可具有纳秒量级的响应速度、1e6以上的增益，甚至可在单光子探测模式下（Geiger模式）工作。
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