目前在半导体工业生产中，普遍采用RCA清洗技术清洗抛光硅片，今天我们介绍一种溶浸式湿法化学清洗，串联的SC1和兆声去除颗粒，含O3的去离子水工艺形成均匀硅氧化膜，最后用IPA干燥。

IPA干燥是利用IPA的低表面张力和易挥发的特性，取代硅片表面的具有较高表面张力的水分，然后用热N2吹干，达到彻底干燥硅片水膜的目的。

此种干燥工艺比传统的离心式甩干法、真空干燥法、单纯热N2干燥法在降低金属和颗粒站务的引入及干燥速度方面有较大的有事。但此工艺在有片盒干燥的过程中易产生边缘目检缺陷的缺点。针对这点，我们在生产中总结了一下经验，并通过控制将此缺陷降到可控范围内。

1、硅片进入IPA干燥腔后，通过片盒支架的特殊设计，使抛光面自动与片盒脱离接触。这样IPA蒸气可充分分布到抛光面表面，有利于均匀的干燥。

2、PFA片盒作为硅片的载体，由于材料微观多孔的特性，经过反复烘干，孔被放大，加上长时间的化学溶浸，少量化学物质吸附在PFA的孔内，烘干后易在硅片上行程边缘缺陷，因此定期处理PFA片盒是很必要的。

作为湿制程设备专业制造商，南通华林科纳半导体设备有限公司对IPA干燥系统有丰富的生产经验和产线使用验证，为硅片的清洗、干燥提供有效的保障。