英飞凌FF650R17IE4 IGBT模块拥有卓越的热性能,集成了最新的芯片技术和高度创新的电路拓扑结构,从而最大限度地提高效率和成本效益。绝缘的功率模块是用于PCB焊接。单螺钉安装和无铜基板的设计确保了良好的热性能,从而带来了无与伦比的应用可靠性。超过10000 小时,基于17种不同测试的大量质量评定也验证了可靠性。英飞凌FF650R17IE4广泛运用于三电平应用、辅助逆变器、大功率变流器、电机传动、风力发电机等各种设备中。
IGBT 模块 N-CH 650A/1700V/2U PrimePACK?2模块带有温度检测NTC,含铅
【英飞凌FF650R17IE4 产品参数】产品: | IGBT Silicon Modules |
品牌和型号 | 英飞凌 FF650R17IE4 |
配置: | Dual |
集电极—发射极最大电压 VCEO: | 1700 V |
集电极—射极饱和电压: | 2.45 V |
在25 C的连续集电极电流: | 650 A |
栅极—射极漏泄电流: | 400 nA |
功率耗散: | 4.15 kW |
最大工作温度: | + 150 C |
封装 / 箱体: | PRIME2 |
商标: | Infineon Technologies |
栅极/发射极最大电压: | +/- 20 V |
最小工作温度: | - 40 C |
安装风格: | Screw |
工厂包装数量: | 3 |