英飞凌FF900R12IE4 IGBT模块上是具备金属门氧化物门结构的双极型晶体管(BJT)。这种设计让IGBT的栅极可以像MOSFET一样,以电压代替电流来控制开关。作为一种BJT,英飞凌FF900R12IE4 IGBT的电流处理能力比同规格的MOSFET更高。英飞凌FF900R12IE4和FF900R12IP4都是大功率光伏逆变器的主流功率器件之一。
描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 900A
【FF900R12IE4/FF900R12IP4产品参数】产品: | IGBT Silicon Modules |
品牌和型号 | 英飞凌FF900R12IE4 英飞凌FF900R12IP4 |
集电极—发射极最大电压 VCEO: | 1200 V |
集电极—射极饱和电压: | 2.05 V |
在25 C的连续集电极电流: | 900 A |
栅极—射极漏泄电流: | 400 nA |
功率耗散: | 5.1 kW |
最大工作温度: | + 150 C |
商标: | Infineon Technologies |
栅极/发射极最大电压: | +/- 20 V |
最小工作温度: | - 40 C |
安装风格: | Screw |
工厂包装数量: | 3 |
批号: | 13+无铅环保 |
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