HUSTEC华科智源

                                                  HUSTEC-1600A-MT

                                     IGBT静态参数综合特性测试仪资料介绍

一：主要特点 

华科智源HUSTEC-1200A-MT电参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试，还可以测量大功率二极管 、IGBT模块，大功率 IGBT、大功率双极型晶体管，MOS管等器件的 V-I 特性测试，测试600A（可扩展至2000A），5000V以下的各种功率器件，广泛应用于轨道交通，电动汽车 ，风力发电，变频器，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析，设备还可以用于变频器，风电，轨道交通，电焊机等行业的在线检修，无需从电路板上取下来进行单独测试，可实现在线IGBT检测，测试方便，测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试，通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试；

测试参数：

ICES  集电极-发射极漏电流

IGESF 正向栅极漏电流 

IGESR 反向栅极漏电流

BVCES 集电极-发射极击穿电压

VGETH 栅极-发射极阈值电压

VCESAT 集电极-发射极饱和电压

ICON 通态电极电流

VGEON 通态栅极电压

VF 二极管正向导通压降

整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。

二：华科智源HUSTEC-1200A-MT大功率IGBT测试仪应用范围

A：IGBT单管及模块，

B：大功率场效应管（Mosfet）

C：大功率二极管

D：标准低阻值电阻

E：轨道交通，风力发电，新能源汽车，变频器，焊机等行业筛选以及在线故障检测

 三、华科智源IGBT测试仪系统特征：

A：测量多种IGBT、MOS管

B：最大脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广；

C：脉冲宽度 50uS~300uS

D：Vce测量精度2mV

E：Vce测量范围>10V    

F：电脑图形显示界面

G：智能保护被测量器件

H：上位机携带数据库功能

I：MOS IGBT内部二极管压降

J : 一次测试IGBT全部静态参数

K: 生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）

L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；

华科智源IGBT测试仪针对 IGBT 的各种静态参数而研制的智能测试系统；自动化程度高（按照操作人员设定的程序自动工作），计算机可以记录测试结果，测试结果可转化为文本格式存储，测试方法灵活（可测试器件以及单个单元和多单元的模块测试），安全稳定（对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁），具有安全保护功能，测试速度方便快捷。

六：华科智源IGBT测试仪制造标准

华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。

GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9 部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）

GB 13869-2008 用电安全导则

GB19517-2004 电器设备安全技术规范

GB 4208-2008 外壳防护等级（IP 代码）（IEC 60529：2001，IDT）

GB/T 191-2008 包装储运图示标志

GB/T 15139-1994 电工设备结构总技术条件

GB/T 2423 电工电子产品环境试验

GB/T 3797-2005 电气控制设备

GB/T 4588.3-2002 印制板的设计和使用

GB/T 9969-2008 工业产品使用说明书总则

GB/T 6988-2008 电气技术用文件的编制

GB/T 3859.3 半导体变流器变压器和电抗器

GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路第2 部分:整流二极管