雪崩能量测试仪功能指标：
配置 | 测试范围 | 测试参数 | 条件 | 范围 |
电压
1000V | IGBTs
绝缘栅双极型晶体管 | EAS/单脉冲雪崩能量 | VCE | 20V～4500V | 20~100V±3%±1V
100~1000V±3%±5V
1000V~4500V±3%±10V |
电流
200A | MOSFETs
MOS场效应管 | EAR/重复脉冲雪崩能量 | Ic | 1mA～200A | 1mA～100mA±3%±0.1mA
100mA～2A±3%±5mA
2A～200A±3%±50mA |
| | DIODEs
二极管 | IAS/单脉冲雪崩电流 | Ea | 1J～2000J | 1J～100J±3%±1J
100J～500J±3%±5J
500J～2000J±3%±10J |
| | | PAS/单脉冲雪崩功率 | IC检测 | 50mV/A（取决于传感器） |
| | | | 感性负载 | 10mH、20mH、40mH、80mH、160mH、 |
| | | | 重复间隙时间 | 1~60s可调（步进1s） 重复次数：1~50次 |
雪崩能量测试仪测试模式
单脉冲松开电感的开关（UIS）
单脉冲雪崩应力（EAS）
重复性雪崩能量（EAR）
重复脉冲故障（RPF）
执行的测试
连续性测试装置的插座和/或接触
DC零栅极偏置漏 - 源泄漏测试
- 前，后的雪崩
功能设备测试
雪崩测试
特点
单路/双路设备测试
N沟道，P沟道，混合
全固态切换 - 无需继电器
更快的测试
电流范围：0.1A至200A，0.1A步骤
雪崩电压至2500V
触摸屏程序进入/控制
波形捕获/显示
内部测试程序存储（20个文件）
高速电感充电，减少了测试时间
可编程漏电测试电压
前置/后置雪崩泄漏测试
雪崩折叠测试
多功能测试处理器控制
15硬件排序箱
改进的电压/电流精度
通过Flash下载软件更新
高速RS-485 PTNet接口
控制参数输入密码
使用所有ITC电感负载箱
接口与ITC55MUX4 ITC55 RSF
内置自我测试
