IGBT功率器件动态参数测试仪主机可执行非破坏性的瞬态测量测试，包括对半导体器件绝缘栅双极晶体管（IGBT），功率MOSFET，二极管，双极型器件的测试头。主机包括所有测试设备和必要的软件分析，可执行电阻和电感的开关时间，开关损耗，栅极电荷，TRR /的Qrr和其他瞬态测试。
IGBT功率器件动态参数测试仪概述
- 测试电压：zui大1200 VDC 200（短路电流可达1000A）
- 定时测量：zui低为1 ns
- 漏电流限制监视器
- - MOSFET开关时间测试， Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
- MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢复时间测试，Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps
- Qrr range：1nc~100uc，Trr range：10ns~2us
- MOSFET栅电荷Qg测试，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
- IGBT感性开关时间测试，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps，Inductors range：0.1mH~159.9mH
- IGBT短路耐量测试，Max ISC=1000A
测试标准：
- MIL-STD-750 Series
ITC57300mos管功率器件动态参数测试仪选项
ITC57300mos管功率器件动态参数测试仪测试头
- ITC57210 - N-通道和P-通道功率MOSFET，MIL-STD-750方法3472开关时间
- ITC57220 - TRR /电源，MOSFET和二极管的Qrr，MIL-STD-750方法，3473
- ITC57230 - 栅极电荷功率MOSFET，MIL-STD-750方法3471
- ITC57240 - 电感式开关时间为IGBT，MIL-STD 750方法3477
- ITC57250 - （ISC）短路耐受时间，MIL-STD-750方法3479
