895nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片（裸片）概述

该产品是一款GaAs VCSEL芯片，具有894.6 nm的激光波长和单模辐射特性。

895nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片（裸片）参数

• 波长 / Wavelength : 894.6 nm
• 类型 / Type : VCSEL芯片（裸片）
• 正向电压 / Forward Voltage : 1.78 V
• 芯片技术 / Chip Technology : GaAs VCSEL
• 应用行业 / Application Industry : 原子钟，磁力计
• 输出功率 / Output Power : 0.3 mW
• 阈值电流 / Threshold Current : 0.61 mA
• 操作/焊接温度 / Operation/Solder Temperature : -20°C-110°C
• 储存温度 / Storage Temperature : -40°C-125°C
• 正向电流(保持单模) / Forward Current To Remain Single Mode : max. 1.5mA
• 正向电流 / Forward Current : max. 3mA
• 反向电压 / Reverse Voltage : Not designed for reverse operation
• 静电放电耐受电压 / ESD Withstand Voltage : max. 250V
• 正向电压 / Forward Voltage : typ. 1.78V
• 输出功率 / Output Power : typ. 0.3mW
• 阈值电流 / Threshold Current : typ. 0.61mA
• 斜率效率 / Slope Efficiency : typ. 0.37W/A
• 单模抑制比 / Single-Mode Suppression Ratio : min. 20dB
• 偏振消光比 / Polarization Extinction Ratio : min. 15dB
• 峰值波长(真空) / Peak Wavelength (Vaccum) : 894.1nm-895.1nm
• 光谱线宽 / Spectral Linewidth : max. 100MHz
• FM调制带宽 / FM Modulation Bandwidth : min. 4.6GHz
• 波长温度系数 / Temperature Coefficient Of Wavelength : typ. 0.06nm/K
• 视场角(FWHM) / Field Of View At FWHM : typ. 12°
• 视场角(1/e2) / Field Of View At 1/E2 : typ. 20°

895nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片（裸片）应用

1.原子钟
2.磁力计

895nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片（裸片）特征

1.封装描述：裸片
2.芯片技术：GaAs VCSEL
3.激光波长：894.6 nm
4.辐射特性：单模
5.静电放电：250 V，符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)标准

895nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片（裸片）详述

• 低发散角
• 圆形梁剖面
• 单光谱和空间模式
• 窄光谱宽度
• 在温度和电流范围内稳定的SM光束发散发射
• 沿芯片边缘定向的线性稳定极化

895nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片（裸片）规格书

光电查介绍

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