QPGEW1S09H 905纳米脉冲半导体激光器概述

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出较好的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

QPGEW1S09H 905纳米脉冲半导体激光器参数

• 激光波长 / Wavelength: : 0.905um
• 脉宽 / Pulse Duration: : 20 - 20 ns
• 中心波长附近的调谐范围 / Tuning Range Around Center Wavelength: : Not Applicable

光电查介绍

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