850 nm高斯光束VCSEL芯片，具有高可靠性和低电流操作的特点，可根据要求提供其他配置。
HV85-0001G1 Pre 2.0参数
储存温度 / Storage Temperature : -40 to 85℃
工作温度 / Operating Temperature : -10 to 85℃
连续正向电流 / Continuous Forward Current : 5mA
连续反向电压 / Continuous Reverse Voltage : 5V (@10μA)
阈值电流 / Threshold Current : 0.5 to 1.0mA CW
阈值电流温度变化 / Ith Temperature Variation : ΔIth 0.5mA Ta= -10 to 85℃
斜率效率 / Slope Efficiency : 0.5 to 0.7W/A If= 2mA
斜率效率温度变化 / η Temperature Variation : Δη / ΔT -0.5%/oC Ta= -10 to 85℃ at 2mA
光输出功率 / Optical Output Power : Po 1mW If= 2mA
峰值波长 / Peak Wavelength : λP 840 to 860nm If= 2mA
波长温度变化 / λ Temperature Varation : Δλ / ΔT 0.06nm/oC Ta= -10 to 85℃ at 2mA
光束发散度 / Beam Divergence : Θ 10° Po= 1mW (FWHM)
工作电压 / Operating Voltage : Vf 2.0 to 2.3V If= 2mA
击穿电压 / Breakdown Voltage : Vb -10V
动态电阻 / Dynamic Resistance : Rd 140 to 170Ohm If= 2mA
HV85-0001G1 Pre 2.0应用
1.消费电子
2.安全传感器
3.接近传感器
HV85-0001G1 Pre 2.0特征
1.波长范围850nm
2.高斯光束轮廓
3.可进行低电流操作
4.高可靠性
5.可根据要求提供其他配置
光电查介绍
光电查致力于为国内高校、科研院所与工业领域提供优质的光电产品与服务。光电查与来自中国、美国、欧洲、日本的众多光电产品制造商建立了紧密的合作关系，产品包括各类激光器、光学元件、量测设备、激光系统、成像系统等，所涉足的领域涵盖了材料加工、光通讯、生物、科学研究与国防等。
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