供应小功率导电银胶爱博斯迪科84-1LMISR4，单组分
深圳市盛腾丰科技有限公司
中国 深圳
产品属性
图文详情
品牌推荐
品牌/型号
爱博斯迪科
固体份含量
80%
贮存
-40
粘度
8000Pa.sCPS
保质期
12月
Ablebond? 84-1LMISR4 导电粘晶胶非常适用在高产率、自动粘晶设备上。Ablebond? 84-1LMISR4导电粘晶胶的流变特性使得它可以进行最小剂量的点胶，以及最小的粘晶停留时间，并且没有拖尾或拉丝问题。因此，Ablebond? 84-1LMISR4独特的粘接性能使得它成为半导体工业中最为常用的粘晶材料之一。
特性 ? 优良的点胶性能，具有最小的拖尾或拉丝现象 ? 箱式烘箱中固化 UNCURED PROPERTIES 固化前的性质 TEST DESCRIPTION 测试方法描述 TEST METHOD 测试方法 Filler Type/填料类型 Silver Viscosity/粘度 @ 8,000 cps Brookfield CP51 @ 5rpm ATM-0018 Thixotropic Index/触变指数
5.6 Visc @ 0.5/Visc @ 5rpm ATM-0089 Work Life/工作时间 @25℃ 18 hours Physical work life by % filler ATM-0067 Storage Life @-40℃ 1 year ATM-0068 CURE PROCESS DATA 固化条件 TEST DESCRIPTION 测试方法描述 TEST METHOD 测试方法 Recommended Cure Condition/推荐固化条件 1 hour @ 175℃ Alternate Cure Condtion (1)/可选固化条件 3-5℃/min ramp to 175℃+1 hour @ 175℃ 1The ramp cure was oberserved to yield reduced voiding and increased strength. 渐进升温可以减少气泡产生，以及增加强度。
Weight loss on cure /固化后的热失重
5.3% 10×10 mm Si die on glass slide ATM-0031 PHYSIOCHEMICAL PROPERTIES-PSOT CURE 固化后的物理化学性质 TEST DESCRIPTION 测试方法描述 TEST METHOD 测试方法 Ionics/离子 Chloride Sodium Potassium 5 ppm 3 ppm 1ppm Teflon flask 5 gm sample/20-40 mesh 50 gm DI water 100℃ for 24 hours ATM-0007 Water Extract Conductivity 导电率 13 μmhos/cm ATM-0044 pH/酸碱度 6 ATM-0002 Weight Loss/热失重 @300℃ 0.35% Thermogravimetric Analysis 热解重量分析法 ATM-0073 ABLEBOND 84-1LMISR4 09/03 - 2 - PHYSIOCHEMICAL PROPERTIES-PSOT CURE 固化后的物理化学性质 TEST DESCRIPTION 测试方法描述 TEST METHOD 测试方法 Glass Transition Temperature 玻璃化转变温度 120℃ TMA Penetration mode/TMA 传透法 ATM-0058 Coefficient of Thermal Expansion/热膨胀系数 Below Tg Above Tg 40ppm/℃ 150ppm/℃ TMA expansion mode ATM-0055 4400 MPa (640 Kpsi) 3900 MPa (570 Kpsi) 2000 Mpa (290 Kpsi) Dynamic Tensile Modulus 动态拉伸模量 @-65℃ @25℃ @150℃ @250℃ 300 Mpa (44 Kpsi) Dynamic Mechanical Thermal Analysis using <0.5 mm thick sample 动态力学分析法，使用厚度小于0.5mm 的样品。
ATM-0112 Moisture Absorption 吸湿率 @ Saturation 0.6% Dynamic Vapor Sorption after 85℃/85%RH exposure ATM-0093 MECHANICAL PROPERTIES-POST CURE 固化后的机械性能 TEST DESCRIPTION 测试方法描述 TEST METHOD 测试方法 Die Shear Strength/芯片的剪切强度 @25℃ 19kgf/die 2×2 mm (80×80 mil) Si die ATM-005218 Die Shear Strength vs. Temperature 芯片的剪切强度 与 温度的关系 @ 25℃ @200℃ @250℃ 21 kg/die
2.9 kg/die
1.7 kg/die 11 kg/die
2.6 kg/die
1.4 kg/die 27 kg/die
2.4 kg/die
2.0 kg/die 3×3 mm (120×120 mil) Si die Substrate Ag/Cu leadframe Bare Cu leadframe Pd/Ni/Cu leadframe ATM-0052 Die Shear Strength after 85℃/85% RH Exposure for 168 hours/经过1小时85℃/85%条件的湿气试验后的剪切移除强度 @ 25℃ @200℃ 12 kg/die
1.8 kg/die 10 kg/die
2.5 kg/die 27 kg/die
1.8 kg/die 3×3 mm (120×120 mil) Si die Substrate Ag/Cu leadframe Bare Cu leadframe Pd/Ni/Cu leadframe ATM-0052 Chip Warpage/芯片弯曲 @ 25℃ vs. Chip size Chip Size Warpage
7.6×7.6 mm (300×300 mil) 19μm 10.2×10.2 mm (400×400 mil) 32μm 12.7×12.7 mm (500×500 mil) 51μm 0.38 mm (15 mil) thick Si die on 0.2 mm thick Ag/Cu leadframe ATM-0059 Chip Warpage vs. Post Cure Thermal Process2 芯片弯曲度与后固化热处理的关系 Post Cure /后固化 Bake/后烘 @175℃) + Wirebond/打线 (1 min.@250℃) +Post Mold (4 hrs.)
7.6×7.6×0.38 mm Si die (300×300×15 mil) on 0.2 mm (8 mil) thick LF Substrate 20 μm 29 μm 28μm Ag/Cu leadframe 22 μm 30 μm 28 μm Bare Cu leadframe
特性 ? 优良的点胶性能，具有最小的拖尾或拉丝现象 ? 箱式烘箱中固化 UNCURED PROPERTIES 固化前的性质 TEST DESCRIPTION 测试方法描述 TEST METHOD 测试方法 Filler Type/填料类型 Silver Viscosity/粘度 @ 8,000 cps Brookfield CP51 @ 5rpm ATM-0018 Thixotropic Index/触变指数
5.6 Visc @ 0.5/Visc @ 5rpm ATM-0089 Work Life/工作时间 @25℃ 18 hours Physical work life by % filler ATM-0067 Storage Life @-40℃ 1 year ATM-0068 CURE PROCESS DATA 固化条件 TEST DESCRIPTION 测试方法描述 TEST METHOD 测试方法 Recommended Cure Condition/推荐固化条件 1 hour @ 175℃ Alternate Cure Condtion (1)/可选固化条件 3-5℃/min ramp to 175℃+1 hour @ 175℃ 1The ramp cure was oberserved to yield reduced voiding and increased strength. 渐进升温可以减少气泡产生，以及增加强度。
Weight loss on cure /固化后的热失重
5.3% 10×10 mm Si die on glass slide ATM-0031 PHYSIOCHEMICAL PROPERTIES-PSOT CURE 固化后的物理化学性质 TEST DESCRIPTION 测试方法描述 TEST METHOD 测试方法 Ionics/离子 Chloride Sodium Potassium 5 ppm 3 ppm 1ppm Teflon flask 5 gm sample/20-40 mesh 50 gm DI water 100℃ for 24 hours ATM-0007 Water Extract Conductivity 导电率 13 μmhos/cm ATM-0044 pH/酸碱度 6 ATM-0002 Weight Loss/热失重 @300℃ 0.35% Thermogravimetric Analysis 热解重量分析法 ATM-0073 ABLEBOND 84-1LMISR4 09/03 - 2 - PHYSIOCHEMICAL PROPERTIES-PSOT CURE 固化后的物理化学性质 TEST DESCRIPTION 测试方法描述 TEST METHOD 测试方法 Glass Transition Temperature 玻璃化转变温度 120℃ TMA Penetration mode/TMA 传透法 ATM-0058 Coefficient of Thermal Expansion/热膨胀系数 Below Tg Above Tg 40ppm/℃ 150ppm/℃ TMA expansion mode ATM-0055 4400 MPa (640 Kpsi) 3900 MPa (570 Kpsi) 2000 Mpa (290 Kpsi) Dynamic Tensile Modulus 动态拉伸模量 @-65℃ @25℃ @150℃ @250℃ 300 Mpa (44 Kpsi) Dynamic Mechanical Thermal Analysis using <0.5 mm thick sample 动态力学分析法，使用厚度小于0.5mm 的样品。
ATM-0112 Moisture Absorption 吸湿率 @ Saturation 0.6% Dynamic Vapor Sorption after 85℃/85%RH exposure ATM-0093 MECHANICAL PROPERTIES-POST CURE 固化后的机械性能 TEST DESCRIPTION 测试方法描述 TEST METHOD 测试方法 Die Shear Strength/芯片的剪切强度 @25℃ 19kgf/die 2×2 mm (80×80 mil) Si die ATM-005218 Die Shear Strength vs. Temperature 芯片的剪切强度 与 温度的关系 @ 25℃ @200℃ @250℃ 21 kg/die
2.9 kg/die
1.7 kg/die 11 kg/die
2.6 kg/die
1.4 kg/die 27 kg/die
2.4 kg/die
2.0 kg/die 3×3 mm (120×120 mil) Si die Substrate Ag/Cu leadframe Bare Cu leadframe Pd/Ni/Cu leadframe ATM-0052 Die Shear Strength after 85℃/85% RH Exposure for 168 hours/经过1小时85℃/85%条件的湿气试验后的剪切移除强度 @ 25℃ @200℃ 12 kg/die
1.8 kg/die 10 kg/die
2.5 kg/die 27 kg/die
1.8 kg/die 3×3 mm (120×120 mil) Si die Substrate Ag/Cu leadframe Bare Cu leadframe Pd/Ni/Cu leadframe ATM-0052 Chip Warpage/芯片弯曲 @ 25℃ vs. Chip size Chip Size Warpage
7.6×7.6 mm (300×300 mil) 19μm 10.2×10.2 mm (400×400 mil) 32μm 12.7×12.7 mm (500×500 mil) 51μm 0.38 mm (15 mil) thick Si die on 0.2 mm thick Ag/Cu leadframe ATM-0059 Chip Warpage vs. Post Cure Thermal Process2 芯片弯曲度与后固化热处理的关系 Post Cure /后固化 Bake/后烘 @175℃) + Wirebond/打线 (1 min.@250℃) +Post Mold (4 hrs.)
7.6×7.6×0.38 mm Si die (300×300×15 mil) on 0.2 mm (8 mil) thick LF Substrate 20 μm 29 μm 28μm Ag/Cu leadframe 22 μm 30 μm 28 μm Bare Cu leadframe
