产品详细说明

 

SSC8022GS6 20V 3.2A 550mW N沟道增强型 MOSFET

  

       该产品生产的高密度DMOS的沟道技术，尤其是用于低阻抗导通电阻。该产品特别适合低电压使用，如便携式设备，电源管理和其他电池供电的电路，需要在非常小型表面贴装和低功耗，优良的热性能和电气性能。

 

技术参数：

 

Vds：20V
Vgs：8V
Id：3.2A
Rds(on)：70mΩ@Vgs=4.5V
Rds(on)：90mΩ@Vgs=2.5V
Pd：550mW
封装形式：SOT23

 

应用：

 

负载开关
便携式设备
DCDC转换

 

 

深圳市中科晟科技有限公司

 

QQ：1974226613、7094454

 

电话：13828487988、13714755889

 

联系人：Mr.张、Mr.林