STP180N10F3是N沟道增强模式电源，MOSFET是意法半导体独特的“单一功能大小”条形基础的过程不太重要的对齐步骤，因此一个了不起的制造业重现。由此产生的晶体管，显示了极高的包装密度低电阻，崎岖的雪崩特性和低栅极电荷。

技术参数：

体管极性:  N-Channel   
汲极/源极击穿电压:  100 V   
闸/源击穿电压:  20 V   
漏极连续电流:  120 A   
电阻汲极/源极 RDS（导通）:  4.5 mOhms   
安装风格:  Through Hole   
封装:  TO-220     
下降时间:  6.9 ns  
栅极电荷 Qg:  114.6 nC  
功率耗散:  315 W  
上升时间:  97.1 ns 

应用：

高电流开关

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