产品简介
SOI是指将一薄层硅置于一绝缘衬底上。晶体管将在称之为'SOI'
的薄层硅上制备。基于SOI结构上的器件将在本质上可以减小结电容和漏电流,提高开关速度,降低功耗,实现高速、低功耗运行。作为下一代硅基集成电路技术,SOI广泛应用于微电子的大多数领域,同时还在光电子、MEMS等其它领域得到应用。
公司能够提供100mm, 125mm,
150mm以及200mm圆片及其外延片。产品系列包括Simbond,键合圆片,高剂量和低剂量SIMOX圆片,并可根据用户需求外延到所需的表层硅厚度。此外,公司还向用户提供顶层硅小于50nm的超薄SIMOX系列和用于RF系统集成用的高阻SIMOX圆片。
产品规格说明
外形尺寸 | 4"、6"、8" |
工艺 | Smart cut; Bonding;
SIMOX |
类型 | N/P |
电阻率 | 可定制 |
顶层单晶厚度 | 0.2~50µm |
埋氧层厚度 | 0.4~4µm |
基底层厚度 | 100~500µm |
TTV | <
3µm |
Paritlce | <10@0.3µm |