产品简介
砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。
产品规格说明
晶体材料 | Single Crystal Gallium Arsenide, VGF / LECgrown, 高纯单晶 | ||
晶向 | (1 0 0) / (1 1 1) | ||
掺杂 | Undoped | Zn | Si / Te |
直径 | 50~150mm ± 0.25mm（2"、 3"、 4"、6"） | ||
厚度 | 350 ± 25um / 550 ± 25um / 625 ± 25um | ||
晶向 | （ 100 ）or（111） α 0 ±β 0, off angle α and accuracy β upon request | ||
电阻率 | (1-30)x10 7 Ω.cm | (1-10)x10 -3 Ω.cm | |
迁移率 | 1500~3000 3000~5000 cm2 / V·sec | N / A | |
掺杂浓度 | N / A | (0.1-3.0)×10 18 /cm3 | |
腐蚀缺陷密度 | ≤ 5·103 cm-2 | ≤ 7·10 4cm-2 | ≤ 5·102 cm-2 |
主定位边 | (0-1-1)±0.5deg, 16 ±1.0mm /22±1.0mm/32.5±1.0mm | ||
次定位边 | (0-1 1) )±5.0 deg, 8 ±1.0mm / 11±1.0mm/ 18±1.0mm | ||
正面 | Polished in Epi-ready Prime grade, 外延生长级抛光 | ||
反面 | Polished / Lapping or Etched, 抛光 / 研磨或腐蚀 | ||
Epi-ready | Yes | ||
公司常规产品详细规格
1. 3寸不掺杂砷化镓衬底 | ||
项目 | 单位 | 参数 |
产品类型 | *** | Semi-insulating |
生长方法 | *** | VGF |
掺杂剂 | *** | Undoped |
导电类型 | *** | N |
直径 | mm | 76.2±0.4 |
晶向 | *** | (100)±0.50 |
主定位边取向 | *** | US[0 1`1] ±0.50 |
副定位边取向 | *** | US[0 1 1] ±0.50 |
主定位边长度 | mm | 22±1.5 |
副定位边长度 | mm | 11±1.5 |
电阻率 | ohm.cm | 1×107 |
迁移率 | cm2/v.s | ＞4000 |
位错密度 | /cm2 | ＜7000 |
厚度 | µm | 625±25 |
TTV | µm | ≤5 |
TIR | µm | ≤5 |
Bow | µm | ≤5 |
Warp | µm | ≤5 |
LFPD (15mm*15mm) | µm | <1.0um@100％ |
颗粒度 | *** | N/A |
LTV | mm | N/A |
PLTV | % | N/A |
倒边 | mmR | 0.375 |
激光标识 | *** | N/A |
抛光要求 | *** | P/P |
包装要求 | *** | Epi-Ready,25片CASS包 |
包装标识 | *** | SI US |
2.掺锌规格 | ||
项目 | 单位 | 参数 |
产品类型 | *** | Semi-conducting |
生长方法 | *** | VGF |
掺杂剂 | *** | Zn |
导电类型 | *** | P |
直径 | mm | 50.8±0.4 |
晶向 | *** | (100)±0.50 |
主定位边取向 | *** | EJ [0`1`1] ±0.50 |
副定位边取向 | *** | EJ [0`1 1] ±0.50 |
主定位边长度 | mm | 16±1 |
副定位边长度 | mm | 7±1 |
载流子浓度 | /cm3 | (1-5)×1019 |
电阻率 | ohm.cm | N/A |
迁移率 | cm2/v.s | N/A |
位错密度 | /cm2 | ＜5000 |
厚度 | µm | 350±25 |
TTV | µm | N/A |
TIR | µm | N/A |
Bow | µm | N/A |
Warp | µm | N/A |
倒边 | mmR | N/A |
颗粒度 | *** | N/A |
激光标识 | *** | N/A |
抛光要求 | *** | P/E， 单抛 |
包装要求 | *** | Epi-Ready，单片包装 |
包装标识 | *** | SC EJ 正常条码标签 |
执行标准 | *** | 《光电子2英寸晶片A级表面合格标准》 |
掺硅规格 | ||
项目 | 单位 | 参数 |
产品类型 | *** | Semi-conducting |
生长方法 | *** | VGF |
掺杂剂 | *** | Si |
导电类型 | *** | N |
直径 | mm | 50.7±0.1 |
晶向 | *** | (100)15°±0.5° off toward〈111〉A |
主定位边取向 | *** | EJ [0`1`1] ±0.50 |
副定位边取向 | *** | EJ [0`1 1] ±0.50 |
主定位边长度 | mm | 17±1 |
副定位边长度 | mm | 7±1 |
载流子浓度 | /cm3 | (0.5-4)×1018 |
电阻率 | ohm.cm | (0.8-9)×10-3 |
迁移率 | cm2/v.s | ＞1000 |
位错密度 | /cm2 | ＜5000 |
Q/CT-001 VGF晶体的检测标准（半导体材料） | ||
“2〞晶体一级产品放行标准 ” | ||
厚度 | µm | 350±20 |
TTV | µm | ≤10 |
TIR | µm | ≤10 |
Bow | µm | ≤10 |
Warp | µm | ≤10 |
倒边 | mmR | 0.25 |
颗粒度 | *** | ＜50/wafer(for particle>0.3um) |
激光标识 | *** | N/A |
抛光要求 | *** | P/E， 单抛 |
包装要求 | *** | Epi-Ready，25片包装 |
包装标识 | *** | SC EJ |
执行标准 | *** | Q/CT-007 |
光电子2英寸晶片A级表面合格标准 | ||
