FDC6318P 复合MOSFET Dual Pch -12V -2.5A SOT-163 电源管理
| 型号 | FDC6318P |
| 丝印/打字/标记/代码/印记 | 318 |
| Marking Code | 318 |
| 厂家 | FAIRCHILD |
| 一级分类 | 场效应管FET |
| 二级分类 | 复合场效应管 |
| 三级分类 | MOSFET 双P沟道 |
| 三级分类 | MOSFET Dual P-Channel |
| 最大源漏极电压 | -12V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) | -8V |
| 最大漏极电流Id | -2.5A |
| 源漏极导通电阻 | 200m?@ VGS = -1.8V, ID = -1.6A |
| 开启电压 | -0.4~-1.5V |
| 耗散功率 | 960mW/0.96W |
| 封装 | SOT-163 |
| Description & Applications | Dual P-Channel 1.8V PowerTrench Specified MOSFET
General Description
These P-Channel 1.8V specified MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench process that has been especially tailored
to minimize on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.
Applications
? Power management
? Load switch
Features
? High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
? Super SOTTM -6 package: small footprint |
| 描述与应用 | 双P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET
概述
这些P沟道1.8V指定MOSFET采用飞兆半导体先进的功率沟槽进程，已特别定制生产
尽量减少对通态电阻和出色的开关性能但为保持低栅极电荷。
应用
?电源管理
?负荷开关
特点
?高性能沟道技术极低的RDS（ON）
?超级SOTTM-6包装：占地面积小 |
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