NTJD4152PT1 MOSFET 双P沟道 -20V -880mA SOT-363 电池充电器的充电控制
| 型号 | NTJD4152PT1 |
| 丝印/打字/标记/代码/印记 | TKV |
| Marking Code | TKV |
| 厂家 | ON |
| 一级分类 | 场效应管FET |
| 二级分类 | 复合场效应管 |
| 三级分类 | MOSFET 双P沟道 |
| 三级分类 | MOSFET Dual P-Channel |
| 最大源漏极电压 | -20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) | -12V |
| 最大漏极电流Id | -880mA |
| 源漏极导通电阻 | 1?@ VGS = -1.8V, ID = -0.2A |
| 开启电压 | -0.45V |
| 耗散功率 | 272mW/0.272W |
| 封装 | SOT-363/SC70-6/SC-88 |
| Description & Applications | Trench Small Signal MOSFET
Features
? Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Performance
? Small Footprint Package (SC70-6 Equivalent)
? ESD Protected Gate
? Pb-Free Package is Available
Applications
? Load/Power Management
? Charging Circuits
? Load Switching
? Cell Phones, Computing, Digital Cameras, MP3s and PDAs |
| 描述与应用 | 海沟小信号MOSFET
特点
?领先沟道技术低RDS（ON）性能
?小型封装（SC70-6等效）
?ESD保护门
?无铅包装是可用
应用
?负载/功率管理
?充电电路？
?负载开关
?手机，电脑，数码相机，MP3和掌上电脑 |
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