ZXMN10B08E6TA MOSFET N沟道 35V 6.7A SOT-163 低导通电阻
型号 | ZXMN10B08E6TA |
丝印/打字/标记/代码/印记 | 10B8 |
Marking Code | 10B8 |
厂家 | ZETEX |
一级分类 | 场效应管FET |
二级分类 | MOSFET-N沟道 |
最大源漏极电压 | 35V |
最大栅源极电压 | 20V |
最大漏极电流 | 6.7A |
耗散功率 | 2W |
封装 | SOT-163 |
Description & Applications | 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS = 100V; RDS(ON) = 0.230 ID = 1.9A DESCRIPTION This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. FEATURES ? Low on-resistance ? Fast switching speed ? Low threshold ? Low gate drive ? SOT23 pa |
描述与应用 | 100V N-沟道增强型MOSFET 摘要 V(BR)DSS= 100V,RDS(ON)=0.230 ID=1.9A 说明 这种新一代沟道MOSFET由Zetex采用独特的结构 的低导通电阻的开关速度快的优点结合。这 使他们高效率,低电压,电源管理应用的理想选择 ?低导通电阻 ?开关速度快 ?低门槛 ?低栅极驱动器 ?SOT23封装 |
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