AO6405 复合场效应管 双P沟道 -30 -5A DFN 2x2 负载开关
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
中国 深圳
产品属性
图文详情
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品牌/型号
AOS/AO6405
沟道类型
双P沟道
导电方式
增强型
品牌
AOS
型号
AO6405
封装外形
SMDSO/表面封装
AO6405 复合场效应管 双P沟道 -30 -5A DFN 2x2 负载开关
| 型号 | AO6405 |
| 丝印/打字/标记/代码/印记 | D5 |
| Marking Code | D5 |
| 厂家 | AOS |
| 一级分类 | 场效应管FET |
| 二级分类 | 复合场效应管 |
| 三级分类 | MOSFET 双P沟道 |
| 三级分类 | MOSFET Dual P-Channel |
| 最大源漏极电压 | -30 |
| 最大栅源极电压Vgs(±) | 20 |
| 最大漏极电流Id | -5A |
| 源漏极导通电阻 | 67m?@ VGS = -4.5V,ID = -4A |
| 开启电压 | -1~-3 |
| 耗散功率 | 2W |
| 封装 | DFN 2x2 |
| Description & Applications | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6405 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO6405 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO6405L is a Green Product ordering option. AO6405 and AO6405L are electrically identical. |
| 描述与应用 | P沟道增强型场效应晶体管 概述 AO6405采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V。这个装置是适合用于作为负载开关或PWM应用。标准产品AO6405是无铅（符合ROHS＆索尼259规格）。 AO6405L是一种绿色产品订购选项。 AO6405和AO6405L是电相同。 |
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