2SK1062 MOS管 N沟道 60V 200mA SOT-23 TOSHIBA



型号 Part No. | 2SK1062 |
丝印/打字/标记/代码/印记 Marking Code | KE |
厂家 Manufacturer | KE |
一级分类 1.General categories | TOSHIBA |
二级分类 2.Subcategories | 场效应管FET |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | MOSFET N沟道 |
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 60V |
最大漏极电流Id Drain Current | 20V |
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance | 200mA |
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage | 0.6R @50mA,10V |
耗散功率Pd Power Dissipation | 2-3.5V |
封装 Package/Case | 200mW |
| Description & Applications | SOT-23 |
| 描述与应用 | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switching Applications Interface Applications Features High Speed Switching Applications Analog Switching Applications Interface Applications Excellent switching time: ton = 14 ns (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 100 ms (min) @ID = 50 mA Low on resistance: RDS (ON) = 0.6 ? (typ.) @ ID = 50 mA Enhancement-mode Complementary to 2SJ168 |
| 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 高速开关应用模拟开关应用 接口应用 特性 高速开关 应用模拟开关应用 接口应用 出色的开关时间:ton=14 ns(典型值 高正向转移导纳:YFS| =100 ms(最小@ ID=50毫安 低导通电阻RDS(ON=0.6Ω(典型值)@ ID=50毫安 增强型 互补2SJ168 |

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