2SK663-R 结型场效应管 N沟道 JFET 55v 2~6.5ma SOT-323 低噪 低频放大
| 型号 | 2SK663-R |
| 丝印/打字/标记/代码/印记 | 2BR |
| Marking Code | 2BR |
| 厂家 | Panasonic |
| 一级分类 | 场效应管
FET |
| 二级分类 | 结型（JFET）-N沟道
JFET N-Channel |
| 最大源漏极电压Vds | 55v |
| 栅源极击穿电压V(BR)GS | -55v |
| 漏极电流(Vgs=0V)IDSS | 2~6.5ma |
| 关断电压Vgs(off) | -5v |
| 耗散功率Pd | 150mW |
| 封装 | SOT-323 |
| Description & Applications | ?Silicon N-Channel Junction FET
?For low-frequency amplification
?For switching
?Low noise-figure (NF)
?High gate to drain voltage VGDO Features
lLow noise-figure (NF)
lHigh gate to drain voltage VGDO
lS-mini type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion through the tape/magazine packing |
| 描述与应用 | ?硅N沟道结型场效应管
?对于低频放大
?对于开关
?低噪声系数（NF）
?高门漏极电压VGDO的 特点
LLOW噪声系数（NF）
lHigh栅漏电压VGDO
LS-迷你型包装，通过自动插入磁带/盒包装 |
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