IRF6607TR1 功率MOS管 N沟道 20V 9.4A MT IR
型号 | IRF6607TR1 |
厂家 | IR |
一级分类 | 场效应管FET |
二级分类 | MOSFET N沟道 |
源漏极电压 | 20V |
栅源极电压 | 12V |
漏极电流 | 9.4A |
源漏极导通电阻 | 6.3Ω/Ohm @15A,10V |
开启电压 | 1.3-2.0V |
耗散功率 | 3.6W |
封装 | MT |
Description & Applications | HEXFET Power MOSFET Application Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses High Cdv/dt Immunity Low Profile (<0.7 mm) Dual Sided Cooling Compatible Compatible with existing Surface Mount Techniques |
描述与应用 | HEXFET功率MOSFET 特殊应用的MOSFET 非常适于CPU核心的DC-DC转换器 低传导损耗 高CDV/ dt抗扰性 薄型(<0.7毫米) 双面冷却双兼容 与现有的表面兼容 安装技术 |
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