IRFR120N 高压MOSFET N-ch 200V 2.7A TO-252 IR
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型号 | IRFR120N |
厂家 | IR |
一级分类 | 场效应管FET |
二级分类 | MOSFET N沟道 |
源漏极电压 | 200V |
漏极电流 | 2.7A |
源漏极导通电阻 | 1.5Ω/Ohm @1350mA,10V |
开启电压 | 2.0-4.0V |
耗散功率 | 2.5W |
封装 | TO-252/D-PAK |
Description & Applications | DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SOT-223 package is designed for surface-mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. Its unique package design allows for easy automatic pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but has the added advantage of improved thermal performace due to an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation of greater than 1.25 W is possible in a typical surface mount application. ? 2.7A, 200V, RDS(on) = 1.5? @VGS = 10 V ? Low gate charge ( typical 7.2 nC) ? Low Crss ( typical 6.8 pF) ? Fast switching ? 100% avalanche tested ? Improved dv/dt capability |
描述与应用 | 说明 Vishay的第三代功率MOSFET提供 设计师与快速切换的最佳组合, 坚固耐用的设备设计,低导通电阻和成本效益。 SOT-223封装是专为表面安装使用气相,红外或波峰焊技术。 其独特的包装设计,可以轻松自动挑选和地方与其他SOT或SOIC封装,但 提高热过往的表现有额外的好处由于散热放大“选项卡。的功耗 大于1.25 W是可能在一个典型的表面贴装应用。 ?2.7A,200V,RDS上) =1.5Ω@ VGS= 10 V ?低栅极电荷(典型7.2nC) ?低Crss(典型6.8 pF) ?快速开关 ?100%雪崩测试 ?改进的dv / dt能力 |
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