PMF400UN MOSFET N沟道 30v 830mA SOT-323 NXP/PHILIPS




| 型号 | PMF400UN |
| 丝印/打字/标记/代码/印记 | F3 |
| Marking Code | F3 |
| 厂家 | NXP/PHILIPS |
| 一级分类 | 场效应管FET |
| 二级分类 | MOSFET N沟道 |
| 最大源漏极电压 | 30v |
| 最大栅源极电压 | 8v |
| 最大漏极电流 | 830mA |
| 耗散功率 | 560mW/0.56W |
| 封装 | SOT-323/SC-70 |
| Description & Applications | N-channel μTrenchMOS? ultra low level FET Description N-channel enhancement mode ?eld-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS? technology. Surface mounted package Footprint 40% smaller than SOT23 Low on-state resistance n Low threshold voltage. |
| 描述与应用 | N沟道μTrenchMOS?超低水平FET 描述 N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用 的TrenchMOS?技术。 表面贴装封装 足迹比SOT23小40% 低通态电阻n低阈值电压 |

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