TPCF8102 MOSFET P沟道 -20V -6A vs-8 高正向导纳
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
中国 深圳
产品属性
图文详情
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品牌/型号
TOSHIBA/TPCF8102
沟道类型
P沟道
导电方式
增强型
品牌
TOSHIBA
型号
TPCF8102
封装外形
SMDSO/表面封装
TPCF8102 MOSFET P沟道 -20V -6A vs-8 高正向导纳
| 型号 | TPCF8102 |
| 丝印/打字/标记/代码/印记 | F3B |
| Marking Code | F3B |
| 厂家 | TOSHIBA |
| 一级分类 | 场效应管FET |
| 二级分类 | MOSFET P沟道 |
| 最大源漏极电压 | -20V |
| 最大栅源极电压 | 8V |
| 最大漏极电流 | -6A |
| 源漏极导通电阻 | 30m?@ VGS = -4.5V, ID = 3A |
| 开启电压 | -0.5~-1.2V |
| 耗散功率 | 2.5W |
| 封装 | vs-8 |
| Description & Applications | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III) Notebook PC Applications Portable Equipment Applications ? Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 24 mΩ (typ.) ? High forward transfer admittance: |Yfs| = 14 S (typ.) ? Low leakage current: IDSS = ?10 μA (max) (VDS = ?20 V) ? Enhancement mode: Vth = ?0.5 to ?1.2 V (VDS = ?10 V, ID = ?200 μA) |
| 描述与应用 | 东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型（U-MOS III） 笔记本电脑应用 便携式设备的应用 ?低漏源导通电阻RDS（ON）= 24mΩ（典型值） ?高正向转移导纳：| YFS|=14 S（典型值） ?低漏电流：IDSS= -10μA（最大）（VDS=-20 V） ?增强模式：Vth =-0.5?-1.2 V （VDS= -10 V，ID= -200μA） |
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