人工合成的化合物半导体材料。
外观：橙红色透明晶体。
中文名称：磷化镓
英文名称：Gallium phosphide
英文别名：Gallium phosphide (99.999% Ga) PURATREM; phosphanylidynegallium;
gallium phosphorus(-3) anion
CAS号：12063-98-8
EINECS号：235-057-2
分子式：GaP
分子量：100.6968
物化性质
磷化镓的晶体结构为闪锌矿型，晶格常数5.447±0.06埃（），化学键是以共价键为主的混合键，其离子键成分约为20%，300K时能隙为2.26eV，属间接跃迁型半导体。磷化镓与其他大带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如GaAS、 InP)相同，可通过引入深中心使费米能级接近带隙中部，如掺入铬、铁、氧等杂质元素可成为半绝缘材料。目前尚未得到非掺杂半绝缘材料。
磷化稼是一种由n从族元素镶(Ga)与vA族元素磷(P)人工合成的m- V族化合物半导体材料。
供应2寸磷化镓晶片
厚度300um 磷化镓粉末
