锑化镓(gallium antimonide)
由镓和锑构成的Ⅲ-v族化合物半导体材料。由于它在熔点时离解压小(见表)，早在20世纪50年代即可由化学计量熔体中生长出单晶体。
应用GaSb是制备2～5μm波段半导体光电器件的衬底材料，这些器件在红外成像和制导、遥感、红外分析、抗辐射、氟化物光纤通信和传感等领域有重要应用。近年来，在GaSb衬底上还制成GaAs／GaSb叠层太阳能电池，其转换效率可达30％以上
单晶 | 掺杂 | 导电
类型 | 载流子浓度cm-3 | 位错密
度cm-2 | 生长方法
最大尺寸 | 标准
基片 |
GaSb | None
None high R
Zn
Te
Te high R | P
P-
P+
N
N | 1~2×1017
1~5×1016
1~5×1018
2~6×1017
1~5×1016 | ＜103 | LEC
Φ3″ | Φ3″×0.5
Φ2″×0.5 |
Typical Electrical Properties | Dopant available | Te | Zn | Undoped | Type of conductivity | N | P | P | Concentration ( cm -3 ) | 1E17 - 5E18 | 2E17 - 4E18 | x | Hall Mobility ( cm 2 / v.s. ) | 2500 - 3500 | 200 - 500 | 600 - 700 |
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Standard
Specifications | Growth method | LEC | Diameter ( mm ) | 50.8 | Thickness ( um ) | 500 +/-25 um | Conductivity | Semi-conducting | Orientation | , , | Off orientation | From 2° to 10° off | Flat options | EJ or US SEMI. Std . | Surface finish | One side or two sides polished | EPD ( cm-2) | < 1000 or < 10000 | Grade | Epi polished grade , mechanical grade | Package method | Single wafer container with outer foil bag |
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