| 厚膜负性光刻胶 – 删减或添加工艺 |
| 删减工艺与模型 | 光刻胶
NR5-8000
| 厚度
5.8µm - 100.0µm
| | 制程小于120度（℃）时，列光刻胶易于在25度（℃）去除 |
| | 添加工艺 | 光刻胶
NR4-8000P
NR21-20000P
| 厚度
6.0µm - 20.0µm
18.0µm - 200µm
| 在100度（℃）时.
NR9系列光刻胶有很好的黏附特性，且易于在25度（℃）去除. |
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- 删减&模型应用
- 硅的深度刻蚀，类如博施工艺（波希法），玻璃及聚合体
- 硅的浮雕模型
- 添加应用
- 用于倒转（装）芯片封装，多芯片组件，微系统，感光芯片，薄膜磁头的高纵横比电镀凸块的制作
- 删减模型的特性
- 极好的耐温性适用于离子刻蚀及离子铣削制程
- 在深度刻蚀中比正胶有更多的选择性
- 对小于380nm的波长有很好的灵敏度
- 添加应用的特性
- 在电镀制程中有很好的粘附性
- 电镀后用FUTURREX的去胶液易于去除
- 对小于380nm的波长有很好的灵敏度
- 对生产率的影响
- 优势
- 良好的线宽控制
- 侧壁的垂直度不随膜后（厚）而变
- 单次旋涂可达到100微米厚度
- 在厚膜应用中有很好的分辨率
- 极好的光刻速度可以提高曝光效率
- 便于增加功率密度在离子刻蚀/离子铣削制程中，从而提高蚀刻效率
- 单个显影液可适用于正性光刻胶和负性光刻胶
- 无需使用增粘剂
