厚膜负性光刻胶
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厚膜负性光刻胶 – 删减或添加工艺 |
删减工艺与模型 | 光刻胶
NR5-8000 | 厚度
5.8µm - 100.0µm | 制程小于120度（℃）时，列光刻胶易于在25度（℃）去除 |
| 添加工艺 | 光刻胶
NR4-8000P
NR21-20000P | 厚度
6.0µm - 20.0µm
18.0µm - 200µm | 在100度（℃）时.
NR9系列光刻胶有很好的黏附特性，且易于在25度（℃）去除. |
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删减&模型应用
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硅的深度刻蚀，类如博施工艺（波希法），玻璃及聚合体
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硅的浮雕模型
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添加应用
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用于倒转（装）芯片封装，多芯片组件，微系统，感光芯片，薄膜磁头的高纵横比电镀凸块的制作
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删减模型的特性
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极好的耐温性适用于离子刻蚀及离子铣削制程
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在深度刻蚀中比正胶有更多的选择性
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对小于380nm的波长有很好的灵敏度
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添加应用的特性
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在电镀制程中有很好的粘附性
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电镀后用FUTURREX的去胶液易于去除
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对小于380nm的波长有很好的灵敏度
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对生产率的影响
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省去了溶剂显影和溶剂漂洗制程步骤
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优势
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良好的线宽控制
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侧壁的垂直度不随膜后（厚）而变
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单次旋涂可达到100微米厚度
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在厚膜应用中有很好的分辨率
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极好的光刻速度可以提高曝光效率
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便于增加功率密度在离子刻蚀/离子铣削制程中，从而提高蚀刻效率
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单个显影液可适用于正性光刻胶和负性光刻胶
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无需使用增粘剂
