SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that

is utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding

low on-resistance and lower gate charge performance.

Features

· 650V @TJ = 150 ℃

· Typ. RDS(on) = 0.38Ω

· Ultra Low Gate Charge (typ. Qg = 30nC)

· 100% avalanche tested

This advanced technology has been tailored to minimize conduction

loss, provide superior switching performance, and withstand

extreme dv/dt rate and higher avalanche energy.

SJ-FET is suitable for various AC/DC power conversion in

switching mode operation for higher efficiency.