General Description

This Power MOSFET is produced using True semi‘s

advanced planar stripe DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to

minimize on-state resistance, provide superior switching

performance, and withstand high energy pulse in the

avalanche and commutation mode. These devices are well

Features

- 13A, 500V, RDS(on) = 0.48Ω@VGS = 10 V

- Low gate charge ( typical 45nC)

- High ruggedness

- Fast switching

- 100% avalanche tested

- Improved dv/dt capability

suited for high efficiency switched mode power supplies,

active power factor correction based on half bridge topology.

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