1:  C-Plane蓝宝石基板

     这是广大厂家普遍使用的供GaN生长的蓝宝石基板面.这主要是因为蓝宝石晶体沿C轴生长的工艺成熟、

    成本相对较低、物化性能稳定,在C面进行磊晶的技术成熟稳定.

2:  R-Plane或M-Plane蓝宝石基板

     主要用来生长非极性/半极性面GaN外延薄膜,以提高发光效率.通常在蓝宝石基板上制备的GaN外延膜是

    沿c轴生长的，而c轴是GaN的极性轴，导致GaN基器件有源层量子阱中出现很强的内建电场，发光效率

    会因此降低，发展非极性面GaN外延，克服这一物理现象，使发光效率提高。

 3:  图案化蓝宝石基板(Pattern Sapphire Substrate简称PSS)

     以成长(Growth)或蚀刻(Etching)的方式,在蓝宝石基板上设计制作出纳米级特定规则的微结构图案藉以控制

    LED之输出光形式，并可同时减少生长在蓝宝石基板上GaN之间的差排缺陷，改善磊晶质量，并提升LED

      内部量子效率、增加光萃取效率。

   此外，可按客户要求加工定制蓝宝石棱镜、表镜、透镜、孔件、锥台等各种结构件。