生产-- 高质量的IC级、光学级等各种硅片。同时为了一些客户的特别需求,还可以定制。
尺寸:1" 2" 3" 4" 5" 6" 8" 12" 以及特殊尺寸和规格硅片
表面:单抛片、双抛片、研磨片、腐蚀片、切割片晶向,以及各种偏角度的硅片
厚度: 100um 200um 300um 400um 500um 1mm 5mm等各种厚度,厚度公差+-10um,
TTV< 10um或按客户要求,粗糙度<0.2nm
导电类型: N-type、 P-type、undope (本征高阻)
单晶方式: 直拉(CZ)、区熔(FZ)、NTD(中照)
电阻率: 重掺最低可达 <0.001 ohm.cm, 低掺常规1~10 ohm.com 高阻>10000欧姆厘米。
| prime级 4英寸晶圆 IC半导体级 高纯度 单晶抛光硅片 电镜 镀膜
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掺杂类型 | \\ |
电阻率 | 0.001-50(Ω•cm) 可按客户要求定制
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规格参数 | 平整度TIR:<3μm 、 翘曲度TTV: <10μm 、 弯曲度BOW<10μm 、粗糙度<0.5nm、颗粒度 0.3μm) |
包装类型 | 25片真空包装 |
加工定制 | 客户有需要不同参数如:型号、晶向、厚度、电阻率等,加工周期需看规格参数工期1-3周不等 详情可与本公司联系 |
用途 | 用于工艺等同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、 原子力、红外光谱、荧光光谱等分析测试基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体半导体 |