产品名称

4寸二氧化硅抛光硅片

生长方式

直拉单晶（CZ),热氧化工艺

直径与公差

100±0.4mm

掺杂类型

N型(掺磷、砷、锑)    P型（掺硼）

晶向

电阻率

0.001-50(Ω•cm) 可按客户要求定制

工艺

平整度TIR:<3μm 、 翘曲度TTV: <10μm 、

 弯曲度BOW< 10μm 、粗糙度<0.5nm、颗粒度 0.3μm)

用途介绍

用于工艺等同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、

 原子力、红外光谱、荧光光谱等分析测试基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体半导体