4英寸双抛硅片N型P型 真空超洁净封装 传感测试红外辐射科研专用
掺杂类型 | N型(掺磷、砷、锑) P型(掺硼) |
生产方式 | 直拉单晶(CZ) |
晶向 | ,, |
电阻率 | 0.001~50Ω.cm,可定制 |
规格 | 平整度TIR:<3μm 、 翘曲度TTV: <10μm 、 弯曲度BOW< 10μm 、粗糙度<0.5nm、颗粒度 0.3μm) |
用途 | 用于工艺等同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、 原子力、红外光谱、荧光光谱等分析测试基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体半导体 |
加工定制 | 客户有需要不同参数如:型号、晶向、厚度、电阻率等,加工周期需看规格参数工期3周不等
|
4英寸prime级抛光片,电学性能优良,电阻率均匀、粗糙度、平整性好,少子寿命高!长期供应各种参数订制片!价格优惠!双抛硅片、晶向、电阻率可选!