掺杂类型

N型(掺磷、砷、锑)  P型（掺硼）​

生产方式

直拉单晶（CZ)​

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0.001~50Ω.cm,可定制​

平整度TIR:<3μm 、 翘曲度TTV: <10μm 、

 弯曲度BOW< 10μm 、粗糙度<0.5nm、颗粒度 0.3μm)​

用于工艺等同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、

原子力、红外光谱、荧光光谱等分析测试基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体半导体​

客户有需要不同参数如：型号、晶向、厚度、电阻率等，加工周期需看规格参数工期3周不等