一、简介：
ABM公司成立于1986年，总部位于美国硅谷的San Jose。主要生产光刻机、单独曝光系统、光强测试仪/探针等。公司的主要市场在美国和亚洲，截至2010年1月，ABM光刻机世界销售量超过1000台，单独曝光系统销售量超过300台，主要客户包括美国航天局NASA和INTEL、哈佛大学、LG美国海军实验室、菲利普、惠普、3M等，在中国有超过100台ABM光刻机，主要客户有企业工厂、研究所、大学。
ABM亚太公司在香港设有超净实验室，可为中国用户提供工艺研发服务、制作工艺样品、提供工艺解决方案。此外，还设有设备备件库，可最快速度服务于中国客户。在北京、上海、香港有专职维修工程师。
二、基本应用：
应用于MEMS、硅片凸点、芯片封装以及化合物半导体、功率器件和LED图形化衬底市场。几乎涵盖了所有微电子领域微米或亚微米级芯片的光刻应用。
三、主要特点
1. 365-400nm光强传感及电源供应控制电路及反馈闭环；
2. 声控功率警报装置可防止系统功率超过设定指标
3. 有安全保护装置的温度及其气流传感器
4. 全景准直透镜光线偏差半角: <1.84度
5. 波长滤片检查及安装装置
6. 抗衍射反射功能高效反光镜
7. 二向色的防热透镜装置
8. 防汞灯泄漏装置
9. 配备蝇眼棱镜装置
10. 配备深紫外光源（可选）
11. 支持LED优异电流控制技术PSS工艺光刻
12. 支持真空、接近式、接触式曝光
13. 支持恒定光强或恒定功率模式
四、性能参数
1. 曝光时间调解器：0.1至999.9秒(可调节精度0.1s)
2. 基片尺寸：2“，3”，4“，6”，8“（圆/方片）及碎片
3. 自动化程度：手动系统，半自动系统, 自动对准系统
4. 电源功率：350-2000 Watt
5. 光源：近紫外或深紫外光源
6. 对准：CCD或显微镜对准系统；正面对准精度±0.5um；背面对准精度±1um
7. 光强均匀性：
--<±1% over 2” 区域
--<±2% over 4” 区域
--<±3% over 6” 区域
8. 分辨率：
接触式：
近紫外0.8um ，极限0.5um；
深紫外（DUV）可达0.35um，极限达0.25um。
接近式曝光，特征尺寸CD：
---1um 20
um 间距时
--- 2um
50um 间距时
9. 紫外光强：
--220 nm 输出强度 – 大约 8-10 mW/ cm2
--254 nm 输出强度 – 大约 12-14 mW/ cm2
--365 nm 输出强度 – 大约 18-20 mW/ cm2
--400 nm 输出强度 – 大约 30-35 mW/ cm2
10. 支持正胶、负胶及Su8胶等的厚胶光刻，厚胶处理能力：100um-300um
五、应用实例：
深紫外光源下光刻0.25um线条
Feature Sizes图像尺寸0.25微米线条
采用TOK DUV 光刻胶，200nm光学镜，光刻胶厚度0.45微米。
曝光时间40秒。
