张家港晋宇达电子科技有限公司
Nikon系列光刻机中,掩膜版的直角坐标系统、硅片的直角坐标系统、硅片上曝光成像图形的坐标系统以及硅片工作台的直角坐标系统,掩膜版坐标系统的原点是掩膜版的中心,硅片坐标系统的原点是硅片的中心位置,而硅片上曝光成像图形的中心,亦即该坐标系统的原点是掩膜版中心在硅片上投影成像点的位置。
光刻机的匹配使用是指同一产品不同的工艺图层可以分别在不同型号或同一型号不同系列的光刻机上进行光刻,而不影响光刻工艺的质量。这包括了场镜误差(Intraheld Error)的匹配,隔栅误差(Grid Error)的匹配,线宽控制的匹配以及其它使用方面的匹配等,以下将分别论述如何对这些误差进行匹配和调整。
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扫描步进投影曝光(Scanning-Stepping Project Printing)。90年代末~至今,用于≤0.18μm工艺。采用6英寸的掩膜板按照4:1的比例曝光,曝光区域(Exposure Field)26×33mm。优点:增大了每次曝光的视场;提供硅片表面不平整的补偿;提高整个硅片的尺寸均匀性。但是,同时因为需要反向运动,增加了机械系统的精度要求。