随着光刻技术的不断发展，光学光刻已从传统的G线、I线到，发展到远紫外，197nm以及157nm，设备的占用成本越来越高，而随着集成电路设计尺寸的继续缩小，更为严格的套刻指标和巨额的设备成本，混合匹配使用将成为一种必然的需要。各种混合匹配，以及光学光刻之后下一代光刻系统的混合匹配是需要不断研究的新课题。

光刻机的演变及今后发展趋势

      微电子技术的发展一直是光刻设备和技术变革的动力，21世纪光刻技术将继续居于诸多技术之首。本文通过介绍光刻机的演变和所面临的挑战，揭示下一代光刻设备的发展潜力，通过比较浸没式光刻、极紫外光刻机和电子束曝光机的开发现状和特点，预言将来利用极紫外光刻机、电子束曝光机和光学光刻机的结合，实现产业需要的各种图形的制备。

传统光刻机的演变和所面临的挑战

      光刻机是诸多现代技术高度集成的产物， 这些技术是：物理学，光学，化学，材料科学，精密机械，精密控制，工程学等等。在过往的20几年中，光刻机作为半导体制造业的重要设备，经历了很多次革命。这些变革是伴随着微处理器和DRAM特征尺寸的不断缩减发生的演变。 由于光刻的分辨率与曝光波长、物镜光阑孔径的关系为：分辨率=K1λ/NA所以光刻机的革命主要发生在这样几个方面[2－8]：大NA非球面镜光学系统，短波长光源，分辨率增强技术（降低K1因子），同步扫描工件台等。