传统光刻机的演变和所面临的挑战

      光刻机是诸多现代技术高度集成的产物， 这些技术是：物理学，光学，化学，材料科学，精密机械，精密控制，工程学等等。在过往的20几年中，光刻机作为半导体制造业的重要设备，经历了很多次革命。这些变革是伴随着微处理器和DRAM特征尺寸的不断缩减发生的演变。 由于光刻的分辨率与曝光波长、物镜光阑孔径的关系为：分辨率=K1λ/NA所以光刻机的革命主要发生在这样几个方面[2－8]：大NA非球面镜光学系统，短波长光源，分辨率增强技术（降低K1因子），同步扫描工件台等。

     随着光刻技术的不断发展，光学光刻已从传统的G线、I线到，发展到远紫外，197nm以及157nm，设备的占用成本越来越高，而随着集成电路设计尺寸的继续缩小，更为严格的套刻指标和巨额的设备成本，混合匹配使用将成为一种必然的需要。各种混合匹配，以及光学光刻之后下一代光刻系统的混合匹配是需要不断研究的新课题。

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      Nikon系列光刻机中，掩膜版的直角坐标系统、硅片的直角坐标系统、硅片上曝光成像图形的坐标系统以及硅片工作台的直角坐标系统，掩膜版坐标系统的原点是掩膜版的中心，硅片坐标系统的原点是硅片的中心位置，而硅片上曝光成像图形的中心，亦即该坐标系统的原点是掩膜版中心在硅片上投影成像点的位置。