【JNFP15N120MY21 原厂销售 IGBT模块替代泰科P540】价格_厂家

品牌

青岛佳恩

型号

JNFP15N120MY21

类型

绝缘栅型场效应管/MOS场效应管

沟道类型

N型沟道

导电方式

增强型

适合频率

高频

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材质

N-FET硅N沟道

工作电压

15AV

工作电流

1200VA

IGBT模块/IGBT Module

特性：

l 10μs短路承受时间

l 低饱和压降: VCE (sat)= 2.20V @ IC= 15A , TC=25℃

l 低开关损耗

l 100% RBSOA测试（2倍额定电流）

l 低杂散电感

l 无铅模块，符合RoHS要求

Features：

l Short Circuit Rated 10μs

l Low Saturation Voltage: VCE (sat)= 2.20V @ IC= 15A , TC=25℃

l Low Switching Loss

l 100% RBSOA Tested（2×Ic）

l Low Stray Inductance

l Lead Free,Compliant with RoHS Requirement

应用： Applications：

l 工业变频器 Industrial Inverters

l 伺服应用 Servo Applications

IGBT,逆变器/ IGBT,Inverter 最大额定值/ Maximum Rated Values
VCES	集电极-发射机电压 Collector-Emitter Blocking Voltage		1200	V
VGES	门极－发射极电压 Gate-Emitter Voltage		±20	V
IC	集电极直流电流 Continuous Collector Current	TC= 80℃,	15	A
IC	集电极直流电流 Continuous Collector Current	TC= 25℃	30	A
ICM(1)	集电极脉冲电流 Peak Collector Current Repetitive	TJ= 150℃	30	A
tSC	短路承受时间 Short Circuit Withstand Time		>10	μs
PD	单桥臂IGBT最大耗散功率 Maximum Power Dissipation (IGBT)	TC= 25℃ TJmax=150℃	150	W

IGBT的电气特性 Electrical Characteristics of IGBT(TJ= 25℃)

静态特性/Static characteristics Min Typ Max

VGE(th)	门极－发射极阈值电压 Gate-Emitter Threshold Voltage	IC= 1 mA, VCE= VGE		4.0	5.0	6.0	V
VCE(sat)	集电极－发射极饱和电压 Collector-Emitter Saturation Voltage	IC= 15 A, VGE = 15V	TJ= 25℃		2.20	2.40	V
VCE(sat)	集电极－发射极饱和电压 Collector-Emitter Saturation Voltage	IC= 15 A, VGE = 15V	TJ= 125℃		2.70		V
ICES	集电极－发射极漏电流 Collector-Emitter Leakage Current	VGE= 0V, VCE = VCES, TJ= 25℃				1	mA
IGES	门极－发射极漏电流 Gate-Emitter Leakage Current	VGE= 0V, VCE = VCES, TJ= 25℃				200	nA
Cies	输入电容 Input Capacitance	VCE= 25V, VGE= 0V , f＝1MHz			1.5		nF
Coes	输出电容 Output Capacitance	VCE= 25V, VGE= 0V , f＝1MHz			0.13		nF

开关特性/Switching Characteristics

td(on)	开通延迟时间 Turn-on Delay Time	VCC= 600V,IC= 15A, RG = 68 ????????,VGE= ±15V, Inductive Load	TJ= 25℃		120		ns
td(on)	开通延迟时间 Turn-on Delay Time		TJ= 125℃		100		ns
tr	上升时间 Rise Time		TJ= 25℃		60		ns
tr	上升时间 Rise Time		TJ= 125℃		50		ns
td(off)	关断延迟时间 Turn-off Delay Time		TJ= 25℃		330		ns
td(off)	关断延迟时间 Turn-off Delay Time		TJ= 125℃		375		ns
tf	下降时间 Fall Time		TJ= 25℃		280		ns
tf	下降时间 Fall Time		TJ= 125℃		425		ns
Eon	开通损耗 Turn-on Switching Loss		TJ= 25℃		1.6		mJ
Eon	开通损耗 Turn-on Switching Loss		TJ= 125℃		1.85		mJ
Eoff	关断损耗 Turn-off Switching Loss		TJ= 25℃		0.65		mJ
Eoff	关断损耗 Turn-off Switching Loss		TJ= 125℃		0.83		mJ
Qg	门极充电电量 Total Gate Charge		TJ= 25℃		130		nC
RBSOA	安全工作区 RBSOA	IC=30A,VCC=960V,Vp=1200V, Rg = 15????????, VGE=+15V to 0V, TJ=150°C		Trapezoid
SCSOA	短路安全工作区 SCSOA	VCC= 600V, VGE= 15V, TJ= 150℃		10			μs
RθJC	单桥臂IGBT芯片与外壳间热阻 Junction-To-Case (IGBT Part, Per Leg)					0.83	℃/W

二极管,逆变器/ Diode, Inverter

最大额定值/ Maximum Rated Values

VRRM

反向重复峰值电压

Repetitive peak reverse voltage

1200

V

IF

二极管正向直流电流

Diode Continuous Forward Current

15

A

IFM

二极管正向脉冲电流

Peak FWD Current Repetitive

30

A

二极管的电气特性/Electrical Characteristics of FWD

VFM	正向压降 Forward Voltage	IC= 15 A , VGE = 15V	TJ= 25℃	1.90	V
VFM	正向压降 Forward Voltage	IC= 15 A , VGE = 15V	TJ= 125℃	2.00	V
Irr	反向恢复峰值电流 Peak Reverse Recovery Current	IF＝15A, di/dt =500A/μs, Vrr= 600V, VGE= 15V	TJ= 25℃	15	A
Irr	反向恢复峰值电流 Peak Reverse Recovery Current		TJ= 125℃	30	A
Qrr	反向恢复充电电量 Reverse Recovery Charge		TJ= 25℃	0.54	μC
Qrr	反向恢复充电电量 Reverse Recovery Charge		TJ= 125℃	1.15	μC
Erec	反向恢复损耗（每脉冲） Reverse Recovery Energy		TJ= 25℃	0.60	mJ
Erec	反向恢复损耗（每脉冲） Reverse Recovery Energy		TJ= 125℃	1.18	mJ
RθJC	桥臂二极管芯片与外壳间热阻 Junction-To-Case Diode Part, Per Leg			1.81	℃/W