多晶硅定向凝固装置

[简介]： 本发明属于多晶硅定向凝固领域，具体涉及一种多晶硅定向凝固诱导流动抑制杂质反扩散的方法，在真空环境下将多晶硅原料加热熔化形成硅液，然后充入气，通过拉锭机构对硅液进行定向凝固，当硅液定向凝固到75～85%时，开启真空...

多晶硅定向凝固诱导流动抑制杂质反扩散的方法

[简介]： 本发明属于半导体材料技术领域，是一种把非晶硅转化成定向多晶硅的方法。本发明是在已脱氢的非晶硅表面溅射一薄层金属镍，薄层厚度为2.0～3.0nm，在400～500℃温度，氮气气氛下退火3～5小时，形成一薄层镍硅化合物NiSi2小籽晶，用...

分类

多晶体

有的晶体是由许许多多的小晶粒组成，若晶粒之间的排列没有规则，这种晶体称之为多晶体，如金属铜和铁。

单晶体

但也有晶体本身就是一个完整的大晶粒，这种晶体称之为单晶体，如水晶和金刚石。晶体中各原子或离子定向有序排列的就是单晶体，反之则是多晶体，在一定条件下多晶体可转变为单晶体，同理单晶体也可转变为多晶体。多晶与单晶体的差异主要表现在物理性质方面。

评判标准编辑

1：硅片表面光滑洁净。

2：TV：220±20μm。

3：几何尺寸：

边长125±0.5mm；对角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm；

边长103±0.5mm、对角135±0.5mm；

边长150±0.5mm

、156±0.5mm、对角203±0.5mm、200±0.5mm。

同心度：任意两个弧的弦长之差≤1mm。

垂直度：任意两边的夹角：90°±0.3。

一级品：

1：表面有少许污渍、轻微线痕。

2：220±20μm ≤TV≤220±30μm。

3：几何尺寸：

边长125±0.5mm；对角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm；

边长103±0.5mm、对角135±0.5mm；

边长150±0.5mm

、156±0.5mm、对角203±0.5mm、200±0.5mm。

同心度：任意两个弧的弦长之差≤1.2mm。

垂直度：任意两边的夹角：90°±0.5。