评判标准编辑
1：硅片表面光滑洁净。
2：TV：220±20μm。
3：几何尺寸：
边长125±0.5mm；对角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm；
边长103±0.5mm、对角135±0.5mm；
边长150±0.5mm
、156±0.5mm、对角203±0.5mm、200±0.5mm。
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1mm。
垂直度：任意两边的夹角：90°±0.3。
一级品：
1：表面有少许污渍、轻微线痕。
2：220±20μm ≤TV≤220±30μm。
3：几何尺寸：
边长125±0.5mm；对角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm；
边长103±0.5mm、对角135±0.5mm；
边长150±0.5mm
、156±0.5mm、对角203±0.5mm、200±0.5mm。
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1.2mm。
垂直度：任意两边的夹角：90°±0.5。
美国MEMC公司采用流化床技术实现了批量生产，其以NaA1H4 与SiF4 为原料制备硅i烷，反应式如下：SiF4+NaAlH4=Sil4+4NaAlF4。硅i烷经纯化后在流化床式分解炉中进行分解，反应温度为730℃左右，制得尺寸为1000微米的粒状多晶硅。该法能耗低，粒状多晶硅生产分解电耗为12kW·h/kg左右，约为改良西门子法的1/10，且一次转化率高达98%，但是产物中存在大量微米尺度内的粉尘，且粒状多晶硅表面积大，易被污染，产品含氢量高，须进行脱氢处理。
冶金法
冶金法制备太阳能级多晶硅（Solar Grade Silicon简称SOG—Si），是指以冶金级（MetallurgicalGrade Silicon简称MG-Si）为原料（98.5%~99.5%）。经过冶金提纯制得纯度在99.9999%以上用于生产太阳能电池的多晶硅原料的方法。冶金法在为太阳能光伏发电产业服务上，存在成本低、能耗低、产出率高、投资门槛低等优势，通过发展新一代载能束高真空冶金技术，可使纯度达到6N以上，并在若干年内逐步发展成为太阳能级多晶硅的主流制备技术。不同的冶金级硅含有的杂质元素不同，但主要杂质基本相同，主要包括Al、Fe、Ti、C、P、B等杂质元素。而且针对不同的杂质也研究了一些有效的去除方法。自从1975年Wacker公司用浇注法制备多晶硅材料以来，冶金法制备太阳能级多晶硅被认为是一种有效降低生产成本、专门定位于太阳多级多晶硅的生产方法，可以满足光伏产业的迅速发展需求。针对不同的杂质性质，制备太阳能级多晶硅的技术路线。
今年伴随着光伏行业的复苏，几家新上市的从事太阳能电池业务的公司无一例外，发展的重点都在多晶硅电池组业务。据记者了解，东方日升、向日葵、超日太阳等主营业务均为多晶硅太阳能组件的生产与销售。
据了解，几年前薄膜电池之所以成为PE投资的热点，其中一个重要原因在于其生产过程中用硅量较小。据业内人士透露，薄膜电池组的用硅量仅为多晶硅电池组用硅量的0.5%左右。几年前多晶硅价格最i高峰时达到400美元/公斤左右，金融危机之后一路下滑到50美元/公斤上下，这让多晶硅从占据电池总成本的50%降到25%，而薄膜电池同期成本仅下降了10%。薄膜电池由此失去了成本优势。
国信证券研究员皮家银在接受证券时报记者采访时介绍，进入2010年，由于欧洲国家对光伏产业的补贴并未出现预期中的大幅缩减，该行业意外迎来了一个爆发式增长的时期。向日葵董秘办人士向记者透露，公司上半年对欧洲出货量明显增加，尤其是德国、意大利的订单占据了相当部分比例，产品供不应求。而数据显示，今年中国光伏行业产能从去年的4GW增加到了10GW，增速超过了150%，其中90%以上产品用于出口。
